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IPN50R650CEATMA1
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IPN50R650CEATMA1技术资料
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IPN50R650CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
原厂封装:
PG-SOT223
优势价格,IPN50R650CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPN50R650CEATMA1的技术资料下载
IPN50R650CEATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IPN50R650CEATMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:CoolMOS CE
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):13V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):650 毫欧 @ 1.8A,13V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 150A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):342pF @ 100V
FET功能:-
功率耗散(最大值):5W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PG-SOT223
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