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    IPN60R2K0PFD7SATMA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 650V 3A SOT223
    原厂封装：PG-SOT223
    优势价格，IPN60R2K0PFD7SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    IPN60R2K0PFD7SATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IPN60R2K0PFD7SATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 3A SOT223
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolMOS?PFD7
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 30μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：134pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-SOT223
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