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IPN60R2K1CEATMA1
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IPN60R2K1CEATMA1技术资料
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IPN60R2K1CEATMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
原厂封装：
PG-SOT223
优势价格，IPN60R2K1CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPN60R2K1CEATMA1的技术资料下载
IPN60R2K1CEATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IPN60R2K1CEATMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolMOS?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 欧姆 @ 800mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 60μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.7nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 100V
FET功能：超级结
功率耗散（最大值）：5W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-SOT223
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