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IPP052N06L3GHKSA1
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IPP052N06L3GHKSA1技术资料
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IPP052N06L3GHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
原厂封装:
PG-TO220-3
优势价格,IPP052N06L3GHKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPP052N06L3GHKSA1的技术资料下载
IPP052N06L3GHKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IPP052N06L3GHKSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:OptiMOS
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 80A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 58A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):50nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8400pF @ 30V
FET功能:-
功率耗散(最大值):115W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:PG-TO220-3
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