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IPP06CN10L G
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IPP06CN10L G技术资料
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IPP06CN10L G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,IPP06CN10L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPP06CN10L G的技术资料下载
IPP06CN10L G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:IPP06CN10L G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 180μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):124nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11900pF @ 50V
功率 - 最大值:214W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220-3
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IPP065N04N G
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