英飞凌代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
首页
走进英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
IPP200N15N3GHKSA1
|
IPP200N15N3GHKSA1价格
|
IPP200N15N3GHKSA1技术资料
|
IPP200N15N3GHKSA1
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，IPP200N15N3GHKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPP200N15N3GHKSA1的技术资料下载
IPP200N15N3GHKSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPP200N15N3GHKSA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
系列: OptiMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 20 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 90μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1820pF @ 75V
功率 - 最大值: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3
想获取IPP200N15N3GHKSA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
IPP200N25N3 G
单
IPP200N15N3 G
单
BAT 15-099R E6327
RF二极管
IPI100N06S3L-03
单端场效应管
PEF 21628 E V1.2-G
电信接口芯片
IPUH6N03LA G
单端场效应管
英飞凌代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的
英飞凌一级代理商
，一手货源，大小批量出货
