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INFINEON
IPP260N06N3 G的图片

IPP260N06N3 G

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
原厂封装:TO-220-3
优势价格,IPP260N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPP260N06N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPP260N06N3 G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):27A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):26 毫欧 @ 27A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 11μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:36W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
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  • 晶体管 - IGBT - 模块
    BSM50GD60DLCBOSA1
  • 接口 - 控制器
    ADM6996A1T3
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
    IRF7342PBF
  • 晶闸管 - SCR - 模块
    TT162N14KOFHPSA1
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