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IPT012N08N5ATMA1的图片

IPT012N08N5ATMA1

FET - 单

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

原厂封装：8-PowerSFN

优势价格，IPT012N08N5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPT012N08N5ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号: IPT012N08N5ATMA1

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 300A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.2 毫欧 @ 150A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 280μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 223nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 17000pF @ 40V

功率 - 最大值: 375W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerSFN

供应商器件封装: PG-HSOF-8-1

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