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IPW60R041C6
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IPW60R041C6技术资料
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IPW60R041C6
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
原厂封装:
PG-TO247-3
优势价格,IPW60R041C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPW60R041C6的技术资料下载
IPW60R041C6的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:IPW60R041C6
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
系列:CoolMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):77.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):41 毫欧 @ 44.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 2.96mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):290nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6530pF @ 10V
功率 - 最大值:481W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3
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