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IPW90R800C3
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IPW90R800C3技术资料
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IPW90R800C3
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
原厂封装:
PG-TO247-3
优势价格,IPW90R800C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPW90R800C3的技术资料下载
IPW90R800C3的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:IPW90R800C3
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
系列:CoolMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):800 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 460μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 100V
功率 - 最大值:104W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3
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