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IRF200B211的图片

IRF200B211

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
原厂封装：TO-220AB
优势价格，IRF200B211的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IRF200B211的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IRF200B211
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET, StrongIRFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 7.2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 50A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：80W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220AB
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