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IRF3706STRR
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IRF3706STRR技术资料
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IRF3706STRR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,IRF3706STRR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF3706STRR的技术资料下载
IRF3706STRR的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRF3706STRR
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET?
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):77A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.8V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2410pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):88W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:D2PAK
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