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    IRF6629TR1PBF的图片

    IRF6629TR1PBF

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
    原厂封装：DIRECTFET? MX
    优势价格，IRF6629TR1PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IRF6629TR1PBF的技术资料下载
    电话询问价格
    IRF6629TR1PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IRF6629TR1PBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Ta），180A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 29A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：51nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4260pF @ 13V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），100W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：DIRECTFET? MX
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