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IRF6662TRPBF
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IRF6662TRPBF价格
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IRF6662TRPBF技术资料
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IRF6662TRPBF
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
原厂封装：
DIRECTFET? MZ
优势价格，IRF6662TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF6662TRPBF的技术资料下载
IRF6662TRPBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IRF6662TRPBF
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：HEXFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：8.3A（Ta），47A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 8.2A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：DIRECTFET? MZ
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