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IRF6798MTR1PBF
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IRF6798MTR1PBF价格
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IRF6798MTR1PBF技术资料
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IRF6798MTR1PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
原厂封装:
DIRECTFET? MX
优势价格,IRF6798MTR1PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF6798MTR1PBF的技术资料下载
IRF6798MTR1PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRF6798MTR1PBF
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET?
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25V
25°C时电流-连续漏极(Id):37A(Ta),197A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.3 毫欧 @ 37A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.35V @ 150μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):75nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6560pF @ 13V
FET功能:肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值):2.8W(Ta),78W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DIRECTFET? MX
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