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IRF7322D1
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IRF7322D1技术资料
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IRF7322D1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
原厂封装:
8-SO
优势价格,IRF7322D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF7322D1的技术资料下载
IRF7322D1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRF7322D1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:FETKY
零件状态:停产
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):5.3A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.7V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):62 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):700mV @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):29nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):780pF @ 15V
FET功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:8-SO
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