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IRFH5210TR2PBF

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

原厂封装：8-PQFN（5x6）

优势价格，IRFH5210TR2PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IRFH5210TR2PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

制造商产品型号：IRFH5210TR2PBF

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），55A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.9 毫欧 @ 33A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：59nC @ 10V

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2570pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-PQFN（5x6）

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