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IRFH8337TR2PBF
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IRFH8337TR2PBF价格
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IRFH8337TR2PBF技术资料
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IRFH8337TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
原厂封装:
PQFN(5x6)
优势价格,IRFH8337TR2PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRFH8337TR2PBF的技术资料下载
IRFH8337TR2PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRFH8337TR2PBF
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:*
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12.8 毫欧 @ 16.2A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):790pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
器件封装:PQFN(5x6)
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