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IRFHM8363TR2PBF
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IRFHM8363TR2PBF技术资料
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IRFHM8363TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
原厂封装:
8-PowerVDFN
优势价格,IRFHM8363TR2PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRFHM8363TR2PBF的技术资料下载
IRFHM8363TR2PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRFHM8363TR2PBF
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:*
零件状态:停产
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):11A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.9 毫欧 @ 10A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1165pF @ 10V
功率-最大值:2.7W
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerVDFN
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