英飞凌代理商
渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
首页
INFINEON英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
IRFZ34NSTRLPBF
|
IRFZ34NSTRLPBF价格
|
IRFZ34NSTRLPBF技术资料
|
IRFZ34NSTRLPBF
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
原厂封装：
D2PAK
优势价格，IRFZ34NSTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRFZ34NSTRLPBF的技术资料下载
IRFZ34NSTRLPBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IRFZ34NSTRLPBF
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：HEXFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：55V
25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 16A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：D2PAK
想获取IRFZ34NSTRLPBF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
IRFZ34NLPBF
晶
IRFZ34EPBF
晶
BCP5610H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
TLE42962GV50HTSA1
电源管理IC - 稳压器 - 线性
F4150R17ME4B11BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
PTMA080152MV1AUMA1
射频放大器
英飞凌芯片代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内
英飞凌代理商
一手货源，大小批量出货
www.inflyic.com
