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INFINEON
IRL6372PBF的图片

IRL6372PBF

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
原厂封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,IRL6372PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IRL6372PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号:IRL6372PBF
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:HEXFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8.1A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):17.9 毫欧 @ 8.1A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 25V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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  • 二极管 - 整流器 - 单
    IDV08E65D2XKSA1
  • 单端场效应管
    BSC016N04LS G
  • 二极管 - 整流器 - 单
    MMBD914LT1HTSA1
  • 晶体管阵列
    BC 847PN H6727
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