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IRLR014NTR
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IRLR014NTR技术资料
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IRLR014NTR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
原厂封装:
D-Pak
优势价格,IRLR014NTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRLR014NTR的技术资料下载
IRLR014NTR的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRLR014NTR
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):55V
25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):140 毫欧 @ 6A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.9nC @ 5V
Vgs(最大值):±16V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):265pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):28W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:D-Pak
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