英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
  • 首页
  • INFINEON英飞凌
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | IRLU3636PBF | IRLU3636PBF价格 | IRLU3636PBF技术资料 |
    IRLU3636PBF的图片

    IRLU3636PBF

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
    原厂封装：I-PAK
    优势价格，IRLU3636PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    IRLU3636PBF的技术资料下载
    电话询问价格
    IRLU3636PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：IRLU3636PBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3779pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：143W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I-PAK
  • 想获取IRLU3636PBF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
  • IRLU3717PBF
    晶
    IRLU3717PBF
  • IRLU3715
    晶
    IRLU3715
  • BSZ034N04LSATMA1
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    BSZ034N04LSATMA1
  • DF200R12PT4B6BOSA1
    晶体管 - IGBT - 模块
    DF200R12PT4B6BOSA1
  • IRF3515STRR
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    IRF3515STRR
  • IDK08G65C5XTMA2
    二极管 - 整流器 - 单
    IDK08G65C5XTMA2
    • 英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
    www.inflyic.com