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ISP12DP06NMXTSA1
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ISP12DP06NMXTSA1技术资料
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ISP12DP06NMXTSA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
原厂封装：
PG-SOT223-4
优势价格，ISP12DP06NMXTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ISP12DP06NMXTSA1的技术资料下载
ISP12DP06NMXTSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：ISP12DP06NMXTSA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：OptiMOS?
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 2.8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 520μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20.2nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 30V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-SOT223-4
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