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AIHD06N60RFATMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
AIHD06N60RFATMA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IC DISCRETE 600V TO252-3
原厂封装:
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,AIHD06N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AIHD06N60RFATMA1的技术资料下载
AIHD06N60RFATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:AIHD06N60RFATMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IC DISCRETE 600V TO252-3
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):12A
电流-集电极脉冲(Icm):18A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,6A
功率-最大值:100W
开关能量:90J(开),90J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:48nC
25°C时Td(开/关)值:8ns/105ns
测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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