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AMF12S18LB2ZXKMA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：AMF12S18LB2ZXKMA1
原厂封装：封装:DIP 44x28DA
优势价格，AMF12S18LB2ZXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AMF12S18LB2ZXKMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:AMF12S18LB2ZXKMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:DIP 44x28DA
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:AMF12S18LB2ZXKMA1
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:4 N 沟道（全桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26.4 毫欧 @ 37.4A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 11.8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2704pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:32-PowerDIP 模块（1.264，32.10mm）
  • 供应商器件封装:DIP 44x28DA
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