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AMF12S36LB2ZXKMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
AMF12S36LB2ZXKMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
AMF12S36LB2ZXKMA1
原厂封装:
封装:DIP 44x28DA
优势价格,AMF12S36LB2ZXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AMF12S36LB2ZXKMA1的技术资料下载
AMF12S36LB2ZXKMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:AMF12S36LB2ZXKMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:DIP 44x28DA
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:AMF12S36LB2ZXKMA1
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅(SiC)
配置:4 N 沟道(全桥)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50.8 毫欧 @ 18.2A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 5.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):44nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1415pF @ 800V
功率 - 最大值:166W
工作温度:-40°C ~ 175°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.264,32.10mm)
供应商器件封装:DIP 44x28DA
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