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BSC0921NDIATMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSC0921NDIATMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
原厂封装:
封装:PG-TISON-8
优势价格,BSC0921NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC0921NDIATMA1的技术资料下载
BSC0921NDIATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:BSC0921NDIATMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TISON-8
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A,31A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1025pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TISON-8
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