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BSC150N03LD G
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSC150N03LD G
场效应管阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
原厂封装:
PG-TDSON-8
优势价格,BSC150N03LD G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC150N03LD G的技术资料下载
BSC150N03LD G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSC150N03LD G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
系列:OptiMOS
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 15V
功率 - 最大值:26W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
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