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BSL806N L6327
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSL806N L6327
场效应管阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
原厂封装:
PG-TSOP6-6
优势价格,BSL806N L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSL806N L6327的技术资料下载
BSL806N L6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSL806N L6327
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
系列:OptiMOS
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):259pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:PG-TSOP6-6
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