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BSO303P H的图片

BSO303P H

英飞凌(INFINEON)图标
场效应管阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
原厂封装：PG-DSO-8
优势价格，BSO303P H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO303P H的技术资料下载
电话询问价格
BSO303P H的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSO303P H
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 8.2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：49nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2678pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：PG-DSO-8
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