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BSP135 L6433
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSP135 L6433
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
原厂封装:
PG-SOT223-4
优势价格,BSP135 L6433的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSP135 L6433的技术资料下载
BSP135 L6433的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSP135 L6433
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):146pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:PG-SOT223-4
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