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BSS159NH6327XTSA2
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSS159NH6327XTSA2
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
原厂封装:
封装:PG-SOT23
优势价格,BSS159NH6327XTSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSS159NH6327XTSA2的技术资料下载
BSS159NH6327XTSA2的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:BSS159NH6327XTSA2
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-SOT23
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 沟道,耗尽型
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 160mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):39 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):360mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-SOT23
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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