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BSS205N H6327
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSS205N H6327
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
原厂封装:
PG-SOT23-3
优势价格,BSS205N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSS205N H6327的技术资料下载
BSS205N H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSS205N H6327
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):419pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:PG-SOT23-3
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