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BSS225H6327XTSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSS225H6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
原厂封装:
器件封装:PG-SOT89
优势价格,BSS225H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSS225H6327XTSA1的技术资料下载
BSS225H6327XTSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:BSS225H6327XTSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:SIPMOS
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):90mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 欧姆 @ 90mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.8nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):131pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PG-SOT89
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