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| BSS670S2L H6327的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSS670S2L H6327的图片

BSS670S2L H6327

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
原厂封装：PG-SOT23-3
优势价格，BSS670S2L H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BSS670S2L H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSS670S2L H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：540mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 270mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 2.7A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：75pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：360mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：PG-SOT23-3
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