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BSZ22DN20NS3 G
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
BSZ22DN20NS3 G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
原厂封装:
PG-TSDSON-8
优势价格,BSZ22DN20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSZ22DN20NS3 G的技术资料下载
BSZ22DN20NS3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSZ22DN20NS3 G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):225 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 100V
功率 - 最大值:34W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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