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F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
原厂封装:
封装:-
优势价格,F3L6MR20W2M1HB70BPSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1的技术资料下载
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
包装:托盘
产品状态:在售
技术:碳化硅(SiC)
配置:4 个 N 通道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):2000V(2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):155A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.7 毫欧 @ 100A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 112mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):297nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):24100pF @ 1200V
功率 - 最大值:-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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