英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
| F435MR07W1D7S8B11ABPSA1的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1的图片

F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
原厂封装：封装:模块
优势价格，F435MR07W1D7S8B11ABPSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1的技术资料下载
电话询问价格
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:4 N 沟道（全桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:650V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39.4 毫欧 @ 35A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.45V @ 1.74mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6950pF @ 400V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
  • 想获取F435MR07W1D7S8B11ABPSA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
INFINEON英飞凌公司授权中国代理商