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FF3MR12KM1HHPSA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
原厂封装：封装:AG-62MMHB
优势价格，FF3MR12KM1HHPSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FF3MR12KM1HHPSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:FF3MR12KM1HHPSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:AG-62MMHB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
  • 包装:盒
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):190A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.44 毫欧 @ 280A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 112mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:800nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:24200pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:AG-62MMHB
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