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FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET
原厂封装:
封装:-
优势价格,FS13MR12W2M1HPB11BPSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1的技术资料下载
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET
包装:托盘
产品状态:在售
技术:碳化硅(SiC)
配置:6 个 N 沟道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11.7 毫欧 @ 62.5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.15V @ 28mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):200nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6050pF @ 800V
功率 - 最大值:-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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