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FS17MR12W2M1HB11ABPSA2的图片

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
原厂封装：封装:-
优势价格，FS17MR12W2M1HB11ABPSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FS17MR12W2M1HB11ABPSA2的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:6 N 沟道（三相逆变器）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tj）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.2 毫欧 @ 50A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.15V @ 20mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:149nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:-
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