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FZ750R65KE3P2NOSA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：IGBT MOD 6.5KV 750A A-IHV190-6
原厂封装：封装:A-IHV190-6
优势价格，FZ750R65KE3P2NOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FZ750R65KE3P2NOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:FZ750R65KE3P2NOSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:A-IHV190-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 6.5KV 750A A-IHV190-6
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:单开关
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:6500 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:750 A
  • 功率 - 最大值:3000000 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，750A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:5 mA
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):205000 pF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-50°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:A-IHV190-6
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