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GS0650146LMRXUSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
GS0650146LMRXUSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
GS-065-014-6-L-MR
原厂封装:
封装:8-PDFN(5x6)
优势价格,GS0650146LMRXUSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
GS0650146LMRXUSA1的技术资料下载
GS0650146LMRXUSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:GS0650146LMRXUSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-PDFN(5x6)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:GS-065-014-6-L-MR
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):138 毫欧 @ 4A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.7 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+7V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-PDFN(5x6)
封装/外壳:8-PowerVDFN
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