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IFS75B12N3E4B31BOSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IFS75B12N3E4B31BOSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IGBT MOD 1200V 150A 385W MOD
原厂封装:
封装:模块
优势价格,IFS75B12N3E4B31BOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IFS75B12N3E4B31BOSA1的技术资料下载
IFS75B12N3E4B31BOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IFS75B12N3E4B31BOSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:模块
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 385W MOD
包装:托盘
产品状态:在售
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150 A
功率 - 最大值:385 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1 mA
不同Vce 时输入电容 (Cies):4.3 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
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