英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
| IMBG120R220M1HXTMA1的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IMBG120R220M1HXTMA1的图片

IMBG120R220M1HXTMA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：SICFET N-CH 1200V 13A TO263
原厂封装：封装:PG-TO263-7-12
优势价格，IMBG120R220M1HXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMBG120R220M1HXTMA1的技术资料下载
电话询问价格
IMBG120R220M1HXTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:IMBG120R220M1HXTMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO263-7-12
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 13A TO263
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:294 毫欧 @ 4A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.7V @ 1.6mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.4 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+18V，-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:312 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO263-7-12
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
  • 想获取IMBG120R220M1HXTMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
INFINEON英飞凌公司授权中国代理商