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IMSQ120R026M2HHXUMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IMSQ120R026M2HHXUMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
原厂封装:
封装:PG-HDSOP-16-221
优势价格,IMSQ120R026M2HHXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMSQ120R026M2HHXUMA1的技术资料下载
IMSQ120R026M2HHXUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IMSQ120R026M2HHXUMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-HDSOP-16-221
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:SiCFET(碳化硅)
配置:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 27A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):54nC @ 0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1990pF @ 800V
功率 - 最大值:410W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-BSOP(0.606,15.40mm 宽),16 引线,裸焊盘
供应商器件封装:PG-HDSOP-16-221
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