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IMT65R048M1HXUMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IMT65R048M1HXUMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
SILICON CARBIDE MOSFET
原厂封装:
封装:PG-HSOF-8-2
优势价格,IMT65R048M1HXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMT65R048M1HXUMA1的技术资料下载
IMT65R048M1HXUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IMT65R048M1HXUMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-HSOF-8-2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SILICON CARBIDE MOSFET
包装:卷带(TR)
产品状态:不适用于新设计
FET 类型:-
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-HSOF-8-2
封装/外壳:8-PowerSFN
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