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IMZC120R017M2HXKSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IMZC120R017M2HXKSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
原厂封装:
封装:PG-TO247-4-17
优势价格,IMZC120R017M2HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IMZC120R017M2HXKSA1的技术资料下载
IMZC120R017M2HXKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IMZC120R017M2HXKSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO247-4-17
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SICFET N-CH 1200V 97A TO247
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 40A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 12.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):89 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2910 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):382W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-4-17
封装/外壳:TO-247-4
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