英飞凌代理，英飞凌芯片代理，英飞凌代理商
英飞凌代理商渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
INFINEON
| IPB021N06N3 G的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPB021N06N3 G的图片

IPB021N06N3 G

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
原厂封装：PG-TO263-2
优势价格，IPB021N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB021N06N3 G的技术资料下载
电话询问价格
IPB021N06N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB021N06N3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 196A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：275nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：250W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-2
  • 想获取IPB021N06N3 G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
英飞凌芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内英飞凌代理商一手货源，大小批量出货
INFINEON英飞凌公司授权中国代理商